公開資料顯示，功率器件是分立器件的一個重要分支，可分為功率分立器件、功率模組和功率IC三大類。據了解，功率器件是進行電能（功率）處理的核心器件，用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。其應用領域極其廣泛，幾乎涵蓋汽車電子、工業控制、消費電子、太陽能、風電、數據中心、計算機、照明、軌道交通等行業。

金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)則是功率分立器件的主體之一，最早可以追溯到1960年。具有輸入阻抗高、驅動功率低、開關速度快、無二次擊穿、安全工作區寬、熱穩定性好等優點，無論是在IC設計里，還是板級電路應用上，都十分廣泛。尤其在大功率半導體領域，各種結構的MOSFET更是發揮著不可替代的作用。

據悉，以MOSFET為代表的功率器件在汽車領域的應用主要輔助驅動各種電動馬達，包括通風系統、雨刮器、電動車窗等；同時，在電動助力轉向系統、電制動系統等動力控制系統，以及DC/DC轉換器、電池管理系統等功率變換模塊中也發揮著關鍵的作用。

除了MOSFET，功率分立器件還包括IGBT、功率二極管、功率雙極晶體管、晶閘管。事實上，功率分立器件發展史長達半個世紀，其應用史可以追溯到20世紀50年代，這里就不過多贅述。

從發展來看，最早的功率器件以不可控型的二/三極管為主，主要用于工業和電力系統；之后是半控型的晶閘管，主要用于實現可控性改良；再者是全控型的MOSFET和IGBT等，主要用于實現高頻率、大幅提升低損耗性能；此后，相比普通MOSFEF導通電阻更小，體積小，損耗更低的超結MOSFET出現，滿足了市場大功率和高頻化的應用需求。

經過半個世紀的發展，由于半導體材料硅(Si)的性能開發已接近物理極限，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的第三代半導體材料的發展開始受到重視。